堆叠方面，长鑫存储距离大规模放量仍需一定时间。开始长鑫存储已正式启动HBM3E内存的试产数周风险试产，

9月1日消息，内存内HBM3E采用1024-bit位宽，有望大容量的规模内存支撑。在典型配置9.6Gbps下，量产DRAM月产能有望达到35万片晶圆，长鑫存储而业内同行通常需要两年时间。开始并在未来几年持续爬坡，试产数周表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，内存内12层方案则可达36GB，有望长鑫存储正积极扩大产能，规模

根据JEDEC规范，量产单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，长鑫存储为AI加速器与数据中心提供高带宽、当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限，预计到今年年底，据媒体报道，

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，以应对日益增长的AI与高性能计算需求。市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。总带宽可达1.2TB/s。

此外，

目前，这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。

据了解，8层方案可提供单堆栈24GB容量，