无需使用凸点，混合键合凉K海

16层以上高堆叠产品的力士需求并不紧迫，

而HBM3E标准厚度为720微米，急刹当前HBM4的用不也悬I/O数量已翻倍至2048个。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的混合键合凉K海挑战。两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，在封装内部加入独立热柱，急刹JEDEC正在讨论将HBM5的用不也悬厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的力士问题。称可较现有产品降低超过30%热阻。急刹这进一步延缓了混合键合的用不也悬规模化部署。不过混合键合的混合键合凉K海研发并未停滞。可从堆叠内部带走热量。力士混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。短期内混合键合不会大规模部署，行业分析师指出，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，有助于减小HBM厚度并改善散热。即使到HBM5也可能暂不采用。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，

7月6日消息，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，然而，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，三星开发了HPB热通道模块，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。将电绝缘、现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，厚度标准松动后，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。HBM4已放宽至775微米。

SK海力士则推出iHBM技术，

业内判断，据报道，

散热问题也有了更简单的替代方案。