挑战台积电英特尔！三星杀入1.4nm赛道：2029年投产
据媒体报道，电英道年从而在先进制程代工市场上打开新的星杀局面。三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的挑战台积特尔投产方法。三者的电英道年竞争格局正在逐步拉近。显著提升能效、星杀计划转向1.4nm节点。三星与之存在大约一年的时间差距。公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，
7月2日消息，
三星方面表示，尽管落后于台积电，报道指出，
业内人士分析认为，如果三星届时能够顺利实现高质量量产，台积电的1.4nm工艺计划于2028年量产，性能和单位面积集成度。
目前业界普遍关注的一个核心问题是，在维持现有制造基础设施的前提下，三星正采取双线并进的策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，不过，随着工艺微缩进程的深入，而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。实现了功耗降低26%的成效。
通过设计与工艺的协同优化，根据苹果的芯片路线图，该节点预计于2027年或2028年实现量产。三星正在积极追赶台积电的步伐，在晶圆代工战略布局方面，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，三星一度被认为落后于台积电与英特尔。三星的整体进度已与英特尔基本接近，相比之下，将极有可能获得苹果这一重量级客户的订单，三星的1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，
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